Транзистор
По исходному материалу транзисторы делят на две основные группы: кремниевые и германиевые. Германиевые транзисторы могут работать в диапазоне температур от -60 до 70-80 градусов по Цельсию, кремниевые - от -50 до 120-150 градусов по Цельсию.
По диапазону рабочих частот их делят на транзисторы низких, средних и высоких частот.
По мощности различают классы транзисторов малой, средней и большой мощности. Транзисторы малой мошности могут быть разделены на шесть групп: усилители низких и высоких частот, малошумящие усилители, переключатели насыщенные, ненасыщенные и малотоковые. Транзисторы большой мощности подразделяют на три группы: усилители, генераторы и переключатели. Каждая группа характеризуется специфическими параметрами.
Параметров этих немало, поэтому они здесь не приводятся (в любом справочнике посмотрите, если интересно). Единственное, приведу схему подбора транзисторов по току - очень полезно, если вам понадобиться подобрать транзисторы к примеру для усилителя. Схемка ниже.



Правила установки и включения транзисторов.
Крепление транзисторов производить за корпус (мощные транзисторы крепить при помоши предусмотренных конструкцией средств: болтов, специальных фланцев).
Изгиб выводов производить на расстоянии не менее 10мм от корпуса (если нет других указаний). Изгиб жёстких выводов мощных транзисторов не рекомендуется.
Не располагать транзисторы вблизи элементов с большим тепловыделением (мощных электронных ламп, силовых трансформаторов и т.д.)
Не устанавливать транзисторы в сильных магнитных полях как постоянных, так и переменных.
Пайку производить не ближе 10мм от корпуса транзистора. Необходимо обеспечить теплоотвод между местом пайки и корпусом (к примеру - пинцет). Время пайки должно быть минимальным (2-3 сек). Следует применять низкотемпературные припои. Температура припоя не должна превышать 260 градусов, например припой ПОС-40 (я понимаю что на практике приходиться паять тем что под рукой, но все же...).
Вывод базы включать в схему первым и отключать последним. Запрещается подавать напряжение на транзистор при отключенной базе.
Замену транзисторов в схеме производить только при выключенном питании.