Статистика
Зарегистрированных: 61797
Последним зарегистрирован: bulbogon
Рекорд посещаемости: 905
Групп пользователей: 4
 Группы:
[Admin] [Cоучастник] [Автор] [Модератор]
 Сейчас на сайте
 Всего: 215
 Гостей: 175
 Анонимных: 4
 Пользователей: 36
 Зарегистрированные:
миша аэс k174 стаценко dantist mybox911 DocDizel P32L shaman2005 Ferrum-1827 Mars9 ShurikFF dyak diver_sant R2-D2 srg320 Toxa кр_ен ALEX62 Quark_p a_gr ded ртуть Men asd81 volvix agn vlad465 CAT5 laimutis jet_1894 ua3mse Vikkttor03 ogres nikseln weo Aptex

> Софт -> СПРАВОЧНИК:Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги
СПРАВОЧНИК
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги

Редакция 1993г.

Справочник

Содержание:
1. Введение
2. Расшифровка буквенных обозначений параметров биполярных транзисторов
3. Расшифровка буквенных обозначений параметров полевых транзисторов по графам
4. Расшифровка наименований зарубежных фирм-изготовителей транзисторов

1. ВВЕДЕНИЕ
Справочник содержит информационно - справочные материалы по зарубежным транзисторам и их отечественным аналогам и предназначен для ориентации руководителей, главных конструкторов и разработчиков предприятий, работающих с зарубежной аппаратурой, специалистов по ремонту импортной радиоаппаратуры. Справочник не заменяет действующих технических условий на транзисторы и не является юридическим документом для предъявления рекламаций.

В справочнике содержатся сведения о параметрах некоторых зарубежных и соответствующих им отечественных (биполярных и полевых) транзисторах, а также сведения о корпусах приборов зарубежных фирм изготовителей приборов.
В справочнике, для удобства пользования, информация приведена в табличной форме.
Ежегодно справочник будет дополняться новыми типономиналами транзисторов, корректироваться в части замены устаревших транзисторов перспективными, по мере освоения их в производстве.
В первой графе таблиц приведены обозначения типономиналов зарубежных транзисторов, расположенных по ЛАТИНСКОМУ АЛФАВИТУ.


ЛАТИНСКИЙ АЛФАВИТ
Aa Bb Cc Dd Ee Ff Gg Hh Ii Jj Kk Ll Mm Nn Oo Pp Qq Rr Ss Tt Uu Vv Ww Xx Yy Zz

Информация по отечественому аналогу расположена ниже зарубежного транзистора под чертой. В предпоследней графе таблиц приведены обозначения типов корпусов зарубежных транзисторов и, ниже под чертой, отечественных аналогов. В последней графе таблиц приведены зарубежные фирмы изготовители транзисторов. Расшифровка фирм приведена pазделе 4.
Информация о параметрах зарубежных и отечественных транзисторах расположена в графах таблиц между 1-ой и предпоследней графой таблиц. Размерность параметров, приведенная в шапках таблиц, как правило, соответствует системе СИ. В случае необходимости изменения размерности использованы соответствующие приставки в виде:

т-Тера - 10 в 12 степени
мк-Микро - 10 в - 6 степени
г-Гига - 10 в 9 степени
н-Нано - 10 в - 9 степени
м-Мега - 10 в 6 степени
п-Пико - 10 в - 12 степени

к-Кило - 10 в 3 степени
ф-Фемто - 10 в 15 степени
мл-Милли - 10 в 3 степени
а-Атто - 10 в 18 степени

2. РАСШИФРОВКА БУКВЕННЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ПО ГРАФАМ

Графа 1.
Условное обозначение типономинала зарубежного транзистора. Под чертой из точек - условное обозначение типономинала отечественного транзистора.

Графа 2.
Рк.max - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора в ваттах.
#Рк.и.max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора в ваттах.

Графа 3.
Iк.mаx - Максимально допустимый постоянный ток коллектора в амперах.
#Iк.и.mаx - Максимально допустимый импульсный ток коллектора в амперах.

Графа 4.
Структура.

Графа 5.
UкбО - Пробивное напряжение коллектор-база при разомкнутой цепи эмиттера в вольтах.
*Uкб mах - Максимальное пробивное напряжение коллектор - база в вольтах.

Графа 6.
UкэО - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при разомкнутой цепи базы в вольтах.
#Uкэr - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер в вольтах.
$Uкэк - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при коротко замкнутых выводах базы и эмиттера в вольтах.
&Uкэх - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданных условиях в цепи база эмиттер в вольтах.
*Uкэ mах - Максимальное допустимое напряжение коллектор-эмиттер в вольтах.

Графа 7.
UэбО - Пробивное напряжение эмиттер-база при разомкнутой цепи коллектора в вольтах.
*Uэб mах - Максимальное напряжение эмиттер-база в вольтах.

Графа 8.
h21э.min - Минимальный коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.

Графа 9.
h21э.mах - Максимальный коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.
#h21э.ном. - Номинальный коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.

Графа 10.
(Iк) - Ток коллектора, при котором измерялись параметры в графах 8 и 9, в амперах.

Uкэ - Напряжение на коллекторе, при котором измерялись параметры в графах 8 и 9, в амперах.
*Iэ - Ток эмиттера, при котором измерялись параметры в графах 8 и 9 , в амперах.
*Uкб - Напряжение коллектор-база, при котором измерялись параметры в графах 8 и 9 в вольтах.

Графа 11.
fmax - Максимальная частота генерации транзистора в герцах.
#fгр. - Граничная частота передачи тока в схеме с общим эмиттером в герцах.
$fh21э. - Предельная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в герцах.

Графа 12.
tпер. - Температура перехода в градусах Цельсия.
#tкор. - Температура корпуса в градусах Цельсия.
$tокр.среды- Температура окружающей среды в градусах Цельсия

Графа 13.
Uкэнас. - Напряжение коллектор-эмиттер насыщения в вольтах.
*Uбэнас. - Напряжение база-эмиттер насыщения в вольтах.

Графа 14.
Условное обозначение корпуса зарубежного транзистора. Под чертой из точек - условное обозначение корпуса отечественного транзистора.

Графа 15.
Условный код наименования фирмы-изготовителя зарубежного транзистора. Расшифровка этого кода помещена пункте 4

3. РАСШИФРОВКА БУКВЕННЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ПО ГРАФАМ

Графа 1.
Условные обозначения типономиналов зарубежных транзисторов. Под чертой - условное обозначение типономиналов отечественных полевых транзистров.

Графа 2.
Рс.рас.max - Максимальная рассеиваемая мощность стока в ваттах.

Графа 3.
Iс.max - Максимально допустимый постоянный ток стока в амперах.

Графа 4.
Iз.max - Максимально допустимый ток затвора в амперах.

Графа 5.
Uзс.max - Максимально допустимое напряжение затвор-сток в вольтах.

Графа 6.
Uси.max - Максимально допустимое напряжение сток-исток в вольтах.

Графа 7.
Iс.нач.max - Начальный ток стока в амперах.

Графа 8.
Iз.ут.max - Максимальный ток утечки затвора в амперах.

Графа 9.
Тип канала.
Графа 10.
Uзи.отс.max - Напряжение затвор-исток отсечки максимальное в вольтах.

[i]Графа 11.

Smin, Smax - Крутизна минимальная, максимальная в миллиамперметрах на вольт.

Графа 12.
Свх.max - Максимальное значение входной емкости в фарадах.

Графа 13.
tпер. - Максимальная температура перехода в градусах цельсия.
#tкор. - Максимальная температура корпуса в градусах цельсия.
$tокр.среды - Максимальная температура окружающей среды в градусах цельсия.

Графа 14.
Тип корпуса.

Графа 15.
Условное обозначение фирм-изготовителей.

4. РАСШИФРОВКА НАИМЕНОВАНИЙ И АДРЕСОВ ЗАРУБЕЖНЫХ ФИРМ - ИЗГОТОВИТЕЛЕЙ ТРАНЗИСТОРОВ (Графа 15)

AEIL/GB - A.E.I. Semiconductors, Ltd, Carholme Rd.6, Linkoln,Engiand
ALGG/BP - AEG- Telefunken, D-7100 Heilbronn,Postfach 1109, West Germany.
AMC/US - Ampower Semiconductor Corp.,375 Kings Highway, Smithtown, Long Isiand, NY 11787
AMR/US - American Microsemiconductor Inc.,145 Mfin St.,Madison, NJ 07940.
AMX/US - Amex Electronics, Inc.,2730 So.Harbor Bivd. Unit B., Santa Ana, CA 92704.
APX/US - Amperex Electronic Corp.,Slatersville Div.,Slatersville, RI 02876 (also under PHIN, sec.16).
CAR/US - Carier Transistor Corp.,29 North Mall,Plainview, NY 11803.
CEN/US - Central Semiconductor Div.,Central state Ind.,Inc., 148-B Lamar St., W. Babylon, NY 11704.
CSI/US - Calvert Semiconductors, Inc., 220 E.23rd St., New York. NY 10010.
CSR/US - CSR Industries, Inc., Semiconductor Div.,35 Central Ave. E.Farmingdale, NY 11735.
CTR/US - Communications Transistor Corp., 301 Industrial Way, San Carlos CA 94070.
CRI/US - Crimson Semiconductors, Inc., 440 Park Ave., South, New York, NY 10016.
DEL/US - Delco Electronics Div., General Motors Corp., MS S105,700 E.Firmin St., Kokomo IN 46901.
ETC/US - Electronic Transistor Corp., 112-15 Northern Bivd., Fiushing, NY 11368.
FCAJ/JP - Fujitsu Ltd., 1015 Kamikodanaka Nakahara-ku, Kawasaki City, Japan.
FERB/GB - Ferranti, Ltd., Gem Mill, Chadderton Oldham, Lancashire, England.
FSC/US - Fairchild Camera & Instrument Corp., Semicon.Products Group, 464 Ellis St., MS14-1055, Mountain View, CA 94042.
GDC/US - General Diode Corp., 90 Eames St.,Framingham, MA 01701.
GESY/US - General Electrics Co.,Semicon.Prod. Dept., Electronic Comp. Div.,Electronics Pk.,Bldg.7. Rm.237, Syracuse, NY 13201.
GIC/US - General Instrument Corp.,600 W.John St.,Hicksville,NY 11802.
GPD/US - Germanium Power Devices Corp., Shetland Ind.Ctr., Bldg. 4, York St., ROB 65, Shawsheen Village Sta.,Andover, MA01810.
GSE/US - General Semiconductor Industries, Inc., 200! W.10th PI., POB 3078, Tempe, AZ 85281.
GTC/US - General Transistor Corp., 12591 Grenshaw Blvd., Hawthorne, CA 90250.
HITJ/JP - Hitachi, Ltd., Semicon.&IC Div., 1450 Josuihonmachi, Kodaira City, Tokyo, Japan.
HPA/US - Hewlett Packard-MSD, 3172 Porter Dr., Palo Alto.CA 94304.
HSE/US - Hybrid Semiconductors & Electronics, Inc.,56-32 210th St., Oakland Gardens, NY 11364.
HTN/US - HI-TRON Semiconductor Corp., 841 Merrick Rd., Baldwin, NY 11510.
HVS/US - High Voltage Semi-Conductor Specialists, Inc.,869 Yonkers Ave., Yonkers, NY 10704.
IDC/US - International Diode Corp.,229 Cleveland Ave., Harrison, NJ 07029.
IDI/US - International Devices, Inc., 8549 Higuera St., Culver Citi CA 90230.
IMTM - Industria Mexicana Toshiba,S.A.Calzada de Guadalupe 303, Cuautitlan, Edo.de Mexico.
INL/US - Intersil,Inc., 10710 No.Tantau Ave., Cupertino,CA 95014.
INR/US - International Rectifier, Semicon.Div.,233 Kansas St.,El Segundo, CA 90245.
IPE/US - In-Phase Electronics,3198 "H" Airport Loop Dr., Costa Mesa, CA 92626.
ITT/BP - ITT Semiconductors (INTERMETALL),P.O.Box 840, D7800 Freiburg, West Germany.
KER/US - Keriron,Inc.,7516 Central Ind.Dr.,Riviera Beach,FL 33404.
LIX/US - Litronix, Inc.,1900 Homestead Rd., Cupertino,CA 95014.
MATJ/JP - Matsushita Electronics Corp., Kotari Yakemachi 1, Nagaokakyo City, Japan.
MEHK/HK - Micro Electronics Ltd.,38 Hung To Rd., Kwun Tong, Kowloon, Hong Kong.
MIC/US - Microwave Associates, Inc., Semiconductor Products, Burlington, MA 01803.
MITJ/JP - Mitsubishi Electric Corp., Kita-Itami Works, 4-1 Mizuhara Itamishi, Hyogo-Ken, Post Code 664, Japan.
MOTA/US - Motorola Semiconductor Products, 5005 E.McDowell Rd., M370, Phoenix, AZ 85008.
MULB/GB - Mullard Ltd.,Mullard House, Torrington Pl., London WC1E 7HD England (also under PHIN, Sec.16).
МWS/US - Мicrowave Semiconductor Corp.,100 Shoolhouse Rd., Somerset, NJ 08873.
NACE/US - NEC Electronics U.S.A., Electron Div.
NASB/US - North American Semiconductor Co., Inc., P.O.Box 1129, Cupertino, CA 95014.
NASG/BP - North American Semiconductor Co., Ltd., Briennerstrasse, 8 Munchen 2, West Germany D 8000.
NECJ/JP - Nippon Electric Co., Ltd.,1753 Shimonumabe, Nakahara Ku, Kawasaki City, Japan.
NJS/US - New Jersey Semiconductor Products Co., Inc.,20 Commerce St., Springfield, NJ 07081.
NPC/US - Nucleonic Products Co., Ins.,6660 Variel Ave., Canoga Park, CA 91303.
NSC/US - National Semiconductor Corp.,2900 Semiconductor Dr., Santa Clara, Ca 95051.
NTLB/GB - Newmarket Transistor, Ltd., Exning Rd., Newmarket, Cambridge, England.
NTR/US - National Transistor Corp., 1033 No.Fairoaks Ave., Sunnyvale, CA 94086.
PHIB - Philco Radio Television Ltda.,Rua Sta.Virginia,299,Tatuape., Sao Paulo, Cx.Postal 4753, Brasil.
PHIC/CA - Philips Electronics Ltd. Electron Devices Div., 601 Milner Ave., Scarborough, Ontario, Canada.
PHIN/NL - N.V.Philips Gloeilampenfabrieken, Elcoma Tech. Dept.,Bldg.
BA, Eindhoven, Netherlands.
PIHS/ES - Piher International Corp.,AVDA San Julia S/N, Apart. 177, Granollers, Barselona, Spain.
PPC/US - Products Corp., 542 Industrial Way West, Eaton-town, NJ 07724.
RCA/US - RCA Corporation, RCA Solid State Div., Route 202, Somerville, NJ 08876.
RCAB/BE - RCA Solid State-Europe, Parc Industriel des Hauts Sarts, B-4400 Herstal, Belgium.
RHM/US - R-Ohm Corp., P.O.Box 4455, 16931 Milliken Ave., Irvine, CA 92716.
RTCF/FR - R.T.C. LaRadiotechnigue-Complec, 130, Ave. Ledru-Rollin, 75540 Paris Cedex 11, France.
RTN/US - Raytheon Semiconductor, 350 Ellis St., Mountain View, CA 94042.
SAKJ/JP - Sanken Electric Co. Ltd., 1-22-8 Nishi- Ikebukuro, Toshimaku, Tokyo, Japan.
SCA/US Semicoa, 333 McCormick Ave., Costa Mesa, CA 92626.
SDE/US - Semiconductor Devices, 970 No.Mai
SEN/US - Sensitron Semiconductors, 221 W. Industry Ct.,Deer Park, NY 11520.
SES/US - Semitronics Corporation, 64 Commercial St.,Freeport, NY 11520.
SGAI/IT - SGS-ATES Componenti Elettronici S.p.A.,Via C.Olivetti, 2,20041 Agrate Briaza, Milan, Italy.
SHEJ/JP - Shindengen Electric Mfd.Co.,Ltd., New Ohtemachi Bedg., 2-1, 2-chome, Ohemach, Chiyoda-ku, Tokyo 100, Japan.
SIEG/BP - Siemens AG, Balanstrasse 73,8 Munich 80, West Germany.
SIX/US - Siliconix, Inc., 2201 Laurelwood., Santa Clara, CA 95054.
SLCB/GB - Semitron Ltd., Cricklade, Wiltshire, England.
SLD/US - Solid State Industries, Inc., 1060 Thomas Jefferson St., NW, Washington, DC 20007.
SML/GB - Semelab, 35 High St., Lutterworth, Leicestershire,England.
SOD/US - Solitron Devices, Inc., 8808 Balboa Ave.,San Deigo,CA92123.
SODI/US - Solitron Devices, Inc., 1177 Blue Heron Blvd., Riviera Beach, FL 33304.
SONY/JP - Sony Corp.,Atsugi HAN-JI, Gyomu-ka, P.O.Box 10, Tokyo A.P., Tokyo 169, Japan.
SPC/US - Solid Power Corp., 440 Eastern Pkwy, Farmingdale, NY 11735.
SPE/US - Space Power Electronics, Inc.,Jeffrey Lane, R.D.1, Glen Gardner, NJ 08826.
SPR/US - Sprague Electric Co., Pembroke Rd., Concord, NH 03301.
SSCF/FR - Le Silicium Semiconductor,30, Ave.de la Republigue, BP1, 94800 Villejuif, France.
SST/US - Solid State,Inc.,46 Farrand St., Bloomfield, NJ 07003.
STC/US - Silicon Transistor Corp.,Katrina Rd., Chelmsford, MA 01824.
STI/US - Semiconductor Technology, Inc.,3131 Southeast Jay St., Stuart, FI 33494.
TADI - Tadiran, Israel Electronics Industries, Ltd.,3 Derech Hashalom (P.O.Box 648), Tel-Aviv 61000, Israel.
THCF/FR - Thomson-CSF, Div.Semiconducteurs, SESCOSEM, 50, rue Jean Pierre Timbaud, BP5, 92403 Courbevoie, France.
THCI/IT - Thomson-CSF Componenti,Div.,Semiconduttori, Sescosem, Via Melchiorre Gioia, 72,20125 Milano, Italy.
TIC/US - Transistor International Corp.,1406 Watertower Rd., P.O.B. 12685, Lake Park, FL 33403.
TII/US - Texas Instruments,Inc., Semicon.Group, MS84, P.O.Box 225012 Dallas, TX 75265.
TIIB/GB - Texas Instruments Ltd., Manton Lane, Bedford, England.
TIIC/CA - Texas Instruments, Inc., 280 Center St., E.Richmond Hill, Ontario, Canada.
TIID/BP - Texas Instruments Deutschland GmbH, 8050 Freising, Hagger tystrasse 1, Germany.
TIIF/CA - Texas Instruments, France, S.A.,06 Villeneuve-Loubet, A.M., France.
TOSJ/JP - Toshiba Corporation, 72 Horikawa-cho, Saiwai-ku, Kawasakishi, Kanagawa-ken, Japan.
TRW/US - TRW Semiconductors, Inc., 14520 Aviation Blvd., Lawndale, CA 90260.
TSAJ/JP - Tokyo Sanyo Electric Co., Ltd., Semicon.Div.,Oizumimachi, Oragun, Gumma, Japan.
TSC/US - Teledyne Semiconductor, 1300 Terra Bella Ave., Mountain View, CA 94043.
TSI/US - Transistor Specialtys Inc., 3 Electronics Ave., Danvers, MA 01923.
UNI/US - Unitrode Corp., 580 Pleasant St., Watertown, MA 02172.
UPI/US - UPI Semiconductor, Div.of United-Page,Inc,481 Getty Ave., Paterson, NJ 07503.
UTS/US - Uni-Tran Semiconductor Corp.,R.D2.Lake Ariel,PA 18436.
VALG/BP - Valvo GmdH,P.O.Box 993, D2000, Hamburg 1, Germany.
WAB/US - Walbern Devices, Inc., 1818 E. Elizabeth Ave., Linden, NJ 07036.
WESY/US - Westinghouse Electric Corp., Semiconductor Dept., Youngwood, PA 15697.




    РадиоКОТ - популярно об электронике. Авторские схемы, новые разработки. Обучение по электронике, микроконтроллерам, ПЛИС. Форум   banner Выживание, фильмы, скачать  DIPTRACE - САМЫЙ ЛУЧШИЙ ТАКСИРОВЩИК ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ


[ Script Execution time: 0.1303 ]   [ 10 queries used ]   [ GZIP выключен ]

Portal-X