Статистика
Время:
Зарегистрированных: 80417
Последним зарегистрирован: Odiys
Рекорд посещаемости: 12585
Групп пользователей: 4
 Группы:
[Admin] [Cоучастник] [Автор] [Модератор]
 Сейчас на сайте
 Всего: 277
 Гостей: 247
 Анонимных: 0
 Пользователей: 30
 Зарегистрированные:
globster samid sleska Burup alexan.vp EASY Gribochek PadreSergey anton77 Tim753 kc2010 alex286 vladlen de1140 OfK Nick-p sapog seleks Lykich __Markoni__ Paracelsus Gearheart elisilva hustov art.777 Domestic victor1970 jhostmc feliks sjau ded
АССОЦИАЦИЯ РАДИОЛЮБИТЕЛЕЙ
ВСЯ ПРЕДСТАВЛЕННАЯ ИНФОРМАЦИЯ ТОЛЬКО ДЛЯ САМООБРАЗОВАНИЯ


Вы попали на портал посвященный микроэлектронным технологиям. Мы постараемся сделать все для того чтобы вы возвращались сюда вновь и вновь.

Этот портал создан для общения и обмена опытом между нами.

Обращаю внимание всех, у нас запрещено пытаться купить или продать любые устройства связанные со спецтехникой. Подобные письма будут игнорироваться. Все попытки использовать портал для продажи или покупки спец. техники или того, что может использоваться как спецтехника будут жестоко караться, мнение администрации обсуждению не подлежит. У нас тут кружок - Сделай сам, а не лоток на рынке.

Основная тематика - спец техника и ее техническая реализация в "железе".
Если вы хотите не просто тупо копировать чужие идеи, а научиться самим придумывать и воплощать на практике что-то свое, то этот портал для вас. Мы, всем нашим сообществом, готовы оказать посильную поддержку всем начинающим.

С уважением, Администрация.

Новости
Автор: Werewolf
Jul 1 2019, 09:15 AM
Россия отказывается от серийного производства спут

Россия отказывается от серийного производства спутников ГЛОНАСС

Причина — нехватка импортных электронных комплектующих
Иван Ткачёв и Максим Солопов, РБК

Власти признали невозможность серийного производства спутников ГЛОНАСС-К в рамках бюджета на 2019 год из-за нехватки импортных комплектующих. Средства перераспределят на разработки по импортозамещению, заверили в правительстве

Космос подождет
Правительство может отказаться от планов серийного производства космических аппаратов ГЛОНАСС-К из-за ограничений на импорт иностранных комплектующих и невозможности оперативно изготовить российские аналоги электронной компонентной базы. Это следует из заключения Счетной палаты на проект поправок к федеральному бюджету на 2019 год, с которым ознакомился РБК. Госдума приняла проект в первом чтении 18 июня.

Согласно документу, на 12.9 млрд руб. в текущем году сокращаются бюджетные расходы в рамках федеральной целевой программы (ФЦП) «Поддержание, развитие и использование системы ГЛОНАСС на 2012–2020 годы». Это объясняется невозможностью изготовления серийных космических аппаратов ГЛОНАСС-К, а также создания наземного комплекса управления спутниками ГЛОНАСС «из-за ограничений на поставку электронной компонентной базы иностранного производства и невозможности ее оперативного замещения». Более половины урезаемых ассигнований, 6.9 млрд руб., полагалось «Роскосмосу», еще 6 млрд руб. — Минобороны в рамках госпрограммы «Космическая деятельность России».

Вместе с тем на 7.05 млрд руб. увеличиваются расходы на другие мероприятия ФЦП по развитию ГЛОНАСС. Часть этих денег будет направлена на формирование «страхового запаса электронной компонентной базы иностранного производства, в том числе для изготовления 11 космических аппаратов ГЛОНАСС-К2».

«Программа восполнения и модернизации орбитальной группировки сохраняется. Идет внутреннее перераспределение средств на отечественные опытно-конструкторские работы с целью импортозамещения», — прокомментировали РБК решение в аппарате вице-премьера Юрия Борисова.

Разные ГЛОНАСС
ГЛОНАСС-К2 — перспективная серия космических аппаратов системы ГЛОНАСС, разработанная ОАО «Информационные спутниковые системы имени академика М.Ф. Решетнева» в качестве доработанного варианта спутников третьего поколения этой серии — ГЛОНАСС-К (первое поколение — ГЛОНАСС, второе поколение — ГЛОНАСС-М).

Согласно Стратегии развития ГЛОНАСС до 2030 года запуск последнего космического аппарата серии ГЛОНАСС-М планируется на 2020 год, последний спутник ГЛОНАСС-К должен полететь в 2023 году. Сейчас в орбитальной группировке ГЛОНАСС два спутника ГЛОНАСС-К. Первый такой спутник был запущен 26 октября 2011 года, второй — в 2014 году. Запуск третьего аппарата долгое время откладывался из-за проблем с поставками комплектующих.

Первый аппарат серии ГЛОНАСС-К2 планируется запустить на орбиту в конце 2019 — начале 2020 года, заверял генеральный директор госкорпорации «Роскосмос» Дмитрий Рогозин на лекции в МГУ в мае.

Санкции против ГЛОНАСС
Евросоюз в 2014 году запретил экспорт в Россию товаров двойного назначения, если они предназначены для конечного военного использования. Поставки для космической отрасли были выведены из-под санкций, но только если они предназначаются для гражданского сектора. Но ГЛОНАСС является системой двойного назначения, то есть может использоваться в том числе в военных целях.

США в августе 2018 года решили окончательно прекратить выдачу лицензий на экспорт российским госпредприятиям продукции двойного назначения, маркированной по критерию «Национальная безопасность» — это в том числе авионика, электронные компоненты, микросхемы, системы спутниковой связи и т.д. (впрочем, и до этого такие лицензии выдавались только в индивидуальных случаях).

С 2014 года чиновники в сфере космоса ведут разговоры о замене импортных комплектующих в спутниках ГЛОНАСС, в 2016 году предприятие «Микрон» заявляло, что оно начало поставки радиационно стойких интегральных микросхем для спутников ГЛОНАСС-К. Однако в 2018 году «Интерфакс» сообщал со ссылкой на источник в ракетно-космической отрасли, что при создании новых спутников ГЛОНАСС-К разработчики столкнулись с проблемами при импортозамещении электронной компонентной базы. Предыдущее поколение этих спутников (ГЛОНАСС-М) содержало 75–80% западных комплектующих.

Гендиректор предприятия — производителя спутников «ИСС имени Решетнева» Николай Тестоедов в апреле 2018 года заявлял РИА «Новости», что космические аппараты системы ГЛОНАСС почти на 40% состоят из зарубежных комплектующих. По словам топ-менеджера, «Роскосмос» разработал программу импортозамещения, согласно которой к 2022 году в космических аппаратах ГЛОНАСС должно быть не более 10% иностранных комплектующих, а полностью избавиться от зарубежных элементов планируется к 2025 году.

Программа перевода спутников ГЛОНАСС полностью на отечественные комплектующие рассчитана до 2023 года, рассказывал в июне 2019 года председатель Научно-технического совета Роскосмоса Юрий Коптев. «Есть программа, рассчитанная на четыре года, согласована с разработчиками элементной базы. По ней каждый год появляется определенная номенклатура российских элементов, которыми замещают иностранные», — говорил Коптев. Эта программа стартовала в 2018 году. Она предполагает, что в будущем в спутниках ГЛОНАСС не будет ни одного иностранного компонента.

Министр промышленности Денис Мантуров в августе 2018 года говорил, что за последние шесть лет было разработано уже более 1.5 тыс. типов электронной компонентной базы. «По электронике будем заменять недоступные компоненты собственными, недостающие — импортировать из стран Юго-Восточной Азии, эти рынки для нас открыты», — сказал тогда министр.

Комментариев: 30
Автор: Werewolf
Jun 27 2019, 10:00 AM
В МФТИ показали, что коммерчески доступный «грязны

В МФТИ показали, что коммерчески доступный «грязный» графен пригоден для детекции терагерцевого излучения

Российские ученые из Московского физико-технического института (МФТИ) и Физико-технологического института имени К. А. Валиева РАН (ФТИАН имени К. А. Валиева РАН) обнаружили резонансное поглощение терагерцевого излучения в коммерчески доступном графене. Это является важнейшим шагом на пути к созданию эффективного детектора терагерцевого излучения. Результаты исследований опубликованы в журнале Physical Review Applied.

Графеновая оптоэлектроника
С момента присуждения в 2010 году Андрею Гейму и Константину Новосёлову Нобелевской премии по физике за получение графена и изучение его свойств интерес исследователей к этому материалу не утихает. Графен является истинно двумерным материалом, то есть состоит из одного атомарного слоя углерода, отчасти благодаря чему обладает уникальными свойствами: он тонкий, но прочный, непроницаем даже для атомов гелия, имеет высокую электро- и теплопроводность. Благодаря высокой подвижности электронов графен является перспективным материалом для сверхбыстрых фотодетекторов, в том числе и для детекторов терагерцевых волн.

Терагерцевое излучение является очень непростым как для генерации, так и для детектирования. Вследствие этого даже появился термин «терагерцевая щель», означающий провал в мощности источников и регистрирующей способности детекторов в диапазоне от долей до единиц терагерц. Но на эту щель никто бы и не обратил внимания, если бы не огромный потенциал терагерцевых волн в медицине, системах беспроводного интернета и астрофизике. Это излучение является безопасным для человека и может заменить рентгеновское при диагностике заболеваний внутренних органов. Скорость передачи данных в Wi-Fi-системах может значительно увеличиться с использованием терагерцевых волн. Кроме того, часть слабо исследованного космического излучения лежит в данном диапазоне.

Использование графена в качестве детектирующего материала способно помочь в создании быстрого терагерцевого детектора. Однако сам по себе монослой графена поглощает лишь около двух процентов падающего излучения, что недостаточно для эффективного детектирования. Одним из способов решения проблемы является сильная локализация поля вблизи графена, благодаря которой электромагнитная волна может «сцепиться» с электронами проводимости и резонансно раскачать их колебания. Такая комбинированная волна, состоящая из совместно колеблющихся электронов и электромагнитного поля, называется поверхностным плазмоном, а явление усиленного поглощения света благодаря возбуждению этих волн — плазмонным резонансом.

К сожалению, плазмонный резонанс не наблюдается в плоском слое графена, освещенном плоской электромагнитной волной: малая по сравнению с фотоном длина волны плазмона не дает свету возбудить плазмонные колебания. Преодолеть такое рассогласование позволяет специальная металлическая «расческа» вблизи графена с расстоянием между зубчиками менее микрона.

Графен: ожидание vs. реальность
К настоящему времени известны десятки способов получения графена, которые отличаются по трудозатратам и качеству получаемых образцов. Говоря о высокой электронной подвижности в графене, исследователи зачастую умалчивали о трудоемкой процедуре его получения. Лучший графен до сих пор получают методом механического отщепления. При этом графит зажимается между двумя липкими лентами, которые затем отрываются друг от друга, отделяя от графита более тонкий слой. Такую процедуру с оставшимся на ленте слоем повторяют несколько раз, пока не начнут появляться места с монослоем графита — графеном. С таким графеном «ручной работы» получаются приборы, имеющие наилучшие характеристики. Так, ранее исследователи из МФТИ, МПГУ и университета Манчестера сообщали о создании резонансного терагерцевого детектора на основе инкапсулированного графена.

В методе механического отщепления площадь графена не превосходит микрометров, образцы изготавливаются по несколько месяцев, а налаживание такого процесса обходится очень дорого. Существует, однако, более простой, масштабируемый и технологичный метод — химическое осаждение из газовой фазы (CVD — chemical vapour deposition). При этом в результате разложения газов (чаще всего смеси метана, водорода и аргона) на подложке из меди или никеля в специальной печке при высокой температуре формируется графеновая пленка. Только на основе такого графена можно масштабируемым образом создавать партии приборов, однако он имеет больше дефектов по сравнению с графеном, полученным отщеплением, вследствие чего обладает не такими хорошими характеристиками. Авторы данной работы решили пронаблюдать явление терагерцевого плазмонного резонанса именно в CVD-графене.

«На самом деле пленка CVD-графена не однородная, а состоит из сросшихся зерен — участков симметрично повторяющегося во все стороны кристаллического рисунка — подобно поликристаллу. Границы зерен наряду с дефектами являются самыми слабыми местами графена, осложняющими работу с ним», — рассказала Елена Титова, соавтор работы, студентка МФТИ.

Больше года ушло у коллектива лаборатории на освоение ремесла работы с непослушным материалом в Центре коллективного пользования МФТИ. Параллельно с этим теоретический отдел лаборатории уверял, что никакого плазмонного резонанса пронаблюдать не получится. Дело в том, что эффективность резонанса определяется его добротностью — тем, сколько периодов поля проходит до того, как электрон столкнется с дефектом решетки. А добротность, по сделанным оценкам, оказывалась очень малой, так как электроны в CVD-графене постоянно сталкиваются с многочисленными дефектами. Это не мешает им, однако, иметь высокую подвижность: все дело в том, что электроны в графене обладают малой массой и за время между столкновениями успевают набрать большую скорость.

Теория & эксперимент
Вопреки пессимистичным теоретическим прогнозам о возможности наблюдения плазмонного резонанса в изготовленных образцах, авторы работы решились осуществить планируемый эксперимент. Смелость была вознаграждена, и в спектрах поглощения образца были выявлены пики, свидетельствовавшие о возбуждении плазмонного резонанса в графене.

«Дело в том, что дефект дефекту рознь, и электроны сталкиваются с разными дефектами при измерениях на постоянном токе и при измерениях терагерцевого поглощения. В эксперименте на постоянном токе электрон неизбежно столкнется с границами зерен на пути от одного контакта к другому. При облучении терагерцевыми волнами электрон в основном колеблется внутри одного зерна, почти не подходя к его границам. Поэтому дефекты, уменьшающие статическую проводимость, оказываются „безопасными“ для терагерцевых детекторов», — пояснил Дмитрий Свинцов, один из авторов работы, руководитель лаборатории оптоэлектроники двумерных материалов МФТИ.

Дальнейшей загадкой являлась частота резонансного возбуждения плазмонов, которая не соответствовала существующим теориям и имела принципиально другую зависимость от геометрических размеров решетки. Оказалось, что при близком расположении графена и решетки последняя модифицирует распределение поля плазмона и локализует его под металлическими штрихами, края которых играют роль зеркал для плазмонов. Авторы работы сформулировали простейшую теорию явления, используя аналогии с приближением сильно связанных электронов в твердом теле. Эта теория описывает экспериментальные данные без подгоночных коэффициентов и в дальнейшем может быть использована для оптимизации терагерцевых детекторов.

mipt.ru



Комментариев: 0
Автор: Werewolf
Jun 24 2019, 09:16 AM
Murata разработала антенный модуль миллиметрового

Murata разработала антенный модуль миллиметрового диапазона для создания следующего поколения высокоскоростных беспроводных сетей

Компания Murata Manufacturing приступила к серийному производству радиочастотного антенного модуля миллиметрового диапазона (60 ГГц), обеспечивающего высокоскоростную широкополосную связь, необходимую для создания беспроводных сетей следующего поколения.

Растет потребность в увеличении пропускной способности Интернета, необходимой для такого контента, как видео сверхвысокой четкости (HD, 4K), дополненная реальность и виртуальная реальность. Кроме того, для построения проводных сетей, охватывающих большие площади, требуется огромное количество кабелей и рабочей силы. Значительны также затраты на создание и обслуживание этой инфраструктуры. Благодаря поддержке стандарта беспроводных локальных сетей IEEE802.11ad миллиметрового диапазона, новый радиочастотный антенный модуль будет способствовать созданию беспроводных сетей следующего поколения, использующих частоту 60 ГГц.

Кроме того, разрабатывая этот новый модуль, Murata предусматривала его эксплуатацию в наружных приложениях, таких как базовые станции операторов связи. Благодаря использованию независимо разработанной низкотемпературной совместно обжигаемой керамики (LTCC), он обеспечивает стабильное качество связи, а также высокую термостойкость и влагостойкость.

Ожидается, что новый модуль будет использоваться в широком спектре таких приложений, как связь между базовыми станциями мобильных телефонов, включая беспроводную связь следующего поколения 5G, для обмена между точками доступа Wi-Fi и в сетях беспроводной связи умных городов.

Особенности продукта
Обеспечивает связь на скоростях до 4.62 Гбит/с на канал и поддерживает стандарт беспроводных локальных сетей IEEE802.11ad.

Реализует оптимизированную диаграмму направленности антенны с использованием запатентованной печатной платы на основе LTCC, способной обеспечить высокоточную связь в диапазоне 60 ГГц. Помимо связи через автономный модуль, имеется возможность, объединив несколько модулей, увеличить дальность связи и соединить внешние базовые станции, находящиеся на расстоянии нескольких сотен метров друг от друга, чтобы создать многогигабитную сеть.

Высокая теплостойкость и низкое влагопоглощение печатной платы на основе LTCC обеспечивают превосходную эксплуатационную надежность и позволяют использовать модуль даже в наружных базовых станциях.

Высокоэффективная работа антенного модуля, обусловленная уникальными характеристиками материала LTCC, обеспечивает низкие потери в линии передачи между микросхемой и антенной.

Модульная конструкция, объединяющая радиочастотную микросхему и антенну, устраняет необходимость в разработке новых радиочастотных схем миллиметрового диапазона, что позволит сократить трудозатраты на создание нового сетевого оборудования.

Комментариев: 10
Автор: Werewolf
Jun 20 2019, 10:00 AM
STMicroelectronics выпускает новый модуль ГНСС, оп

STMicroelectronics выпускает новый модуль ГНСС, оптимизированный для массового рынка приложений отслеживания и навигации

STMicroelectronics (ST) расширила ассортимент устройств ГНСС, выпустив модуль Teseo-LIV3R, программы управления которым хранятся в ПЗУ. Предлагаемый по конкурентной цене модуль поддерживает полный набор алгоритмов ГНСС компании ST для бюджетных устройств слежения и навигации.

Новый модуль ГНСС выполняет функции одометра с тремя счетчиками пробега и оповещением о пройденном расстоянии, наряду с возможностью задания до восьми настраиваемых круговых геозон и сигнализацией о пересекающихся кругах. Поддержка в реальном времени дифференциального позиционирования с бесплатным доступом к серверу обеспечивает бесперебойное поступление координат для надежной навигации.

Одновременное отслеживание спутниковых группировок GPS, GLONASS, Beidou и QZSS, а также поддержка стандарта дифференциального позиционирования RTCM v3.1 гарантируют отличную точность в пределах 1.5 м (круговое вероятное отклонение 50%). Чувствительность в режиме слежения –163 дБм и время первого определения местоположения менее одной секунды определяют высокий уровень характеристики для самых требовательных приложений. Модуль прост в использовании и может управляться командами NMEA.

Благодаря потреблению мощности, масштабируемому в соответствии с точностью измерений, средним током и частотой определения местоположения, а также режиму останова с сохранением питания часов реального времени, в котором потребляемый ток составляет менее 15 мкА, и поддержке нескольких режимов пониженного энергопотребления, Teseo-LIV3R является идеальным выбором для приложений, питающихся от батарей. Режимы пониженного энергопотребления включают в себя режим непрерывного определения координат с адаптивными и энергосберегающими циклическими режимами, периодическое определение только с GPS и определение по требованию, когда устройство находится в постоянном режиме ожидания.

Для упрощения и ускорения создания новых продуктов, модуль сертифицирован на соответствие требованиям FCC и поддерживается Открытой средой разработки STM32. Доступны приложения STM32 для расширенной геолокации, интеллектуального отслеживания и серверной поддержки ГНСС, а в конструировании аппаратуры помогут оценочная плата EVB-LIV3x и плата расширения X-NUCLEO-GNSS1A1. Программный пакет Teseo Suite для ПК поможет легко сконфигурировать модуль и произвести тонкую настройку его характеристик. Разработчики также могут присоединиться к развиваемому ST сообществу ГНСС, чтобы поделиться информацией и углубить свои знания в этой области.
Модуль Teseo-LIV3R выпускается серийно в корпусах LCC18 размером 9.7 мм × 10.1 мм. Цена одного прибора в партиях из 1000 штук составляет t3901.gif7.3.


Комментариев: 0
Автор: Werewolf
Jun 10 2019, 01:58 PM
В новейшем семействе драйверов светодиодов компани

В новейшем семействе драйверов светодиодов компании Allegro решена проблема акустических шумов

Allegro MicroSystems анонсировала новейшее семейство усовершенствованных драйверов светодиодной подсветки. В устройствах семейства A8060x реализована инновационная и запатентованная технология управления с упреждающим импульсом (Pre-Emptive Boost – PEB), устраняющая помехи, частота которых обычно находится в звуковом диапазоне.

PEB-управление в микросхемах семейства A8060x существенно уменьшает пульсации выходного напряжения и устраняет типичную проблему акустических шумов, производимых керамическими выходными конденсаторами при ШИМ-регулировании, а также в целом требует меньшей выходной емкости. При использовании только ШИМ-регулирования с частотой 200 Гц соотношение максимальной и минимальной яркости может достигать 15,000:1. При совместном использовании аналогового и ШИМ диммирования возможно получить еще бóльшую глубину регулировки – до 150,000:1.

В микросхемы ALT80600 и A80603, помимо импульсного преобразователя, интегрированы MOSFET и четыре источника втекающего тока, тогда как A80601 и A80602, рассчитанные на более высокую выходную мощность, управляют внешним силовым МОП-транзистором. Все устройства могут быть сконфигурированы как повышающие или SEPIC преобразователи для охвата широкого спектра приложений. При проектировании импульсных преобразователей ставилась задача минимизации электромагнитных излучений, для чего в них были реализованы функции программирования частоты преобразования, управления скоростью нарастания и программирования дизеринга. Кроме того, выход тактовой частоты позволяет синхронизировать другие импульсные преобразователи с частотой переключения A8060x, чтобы снизить уровень электромагнитных помех, создаваемых всей системой.

Семейство устройств A8060x идеально подходит для всех видов автомобильной подсветки, включая аудио- и видеосистемы, а также приборные панели и системы индикации на лобовом стекле. Микросхемам требуется один источник питания с напряжением от 4.5 до 40 В, причем после запуска устройства могут продолжать работу при снижении напряжения до 3.9 В. Это позволяет драйверам выдерживать стартстопный режим, холодный пуск и сброс нагрузки, характерные для автомобильных систем, а также работать в транспортных средствах с двумя аккумуляторными батареями.

A8060x – это семейство надежных микросхем с множеством функций безопасности и защиты, необходимых для электронных устройств автомобилей. ALT80600 и A80603 управляют четырьмя цепочками светодиодов с током до 120 мА в каждой и суммарным током до 480 мА. A80601 и A80602 обеспечивают общий ток до 840 мА в 4 или 6 цепочках, соответственно.

Устройства выпускаются в компактных корпусах QFN-24 со смачиваемыми торцами контактов и вскрытым теплоотводящим основанием кристалла, имеющих размеры 4 × 4 мм – меньше, чем у прямых конкурентов.

Комментариев: 1
Автор: Werewolf
Jun 10 2019, 01:55 PM
STMicroelectronics расширяет семейство программиру

STMicroelectronics расширяет семейство программируемых контроллеров двигателей новой системой в корпусе

STMicroelectronics (ST) расширила семейство программируемых контроллеров двигателей, выпустив систему в корпусе (СвК) STSPIN32F0B для бюджетных приложений с одним токоизмерительным шунтом. Новый контроллер мотора является идеальным универсальным решением для растущего рынка аккумуляторных электроинструментов.

Измерение тока двигателя с помощью единственного операционного усилителя, интегрированного в STSPIN32F0B, позволяет отказаться от отдельных токоизмерительных резисторов в каждой из трех фаз и делает доступными для пользователя дополнительные входы/выходы. Новая СвК содержит 48-мегагерцовый микроконтроллер STM32F031x6, способный выполнять алгоритм шестиступенчатого управления двигателем, а также поддерживать другие функции прикладного уровня.

20 входов/выходов общего назначения STSPIN32F0B обеспечивают легкий доступ к внутренним периферийным устройствам микроконтроллера, которые включают до пяти универсальных таймеров, 12-разрядный АЦП и датчик температуры. Кроме того, микроконтроллер поддерживает интерфейсы I2C, UART и SPI.

СвК STSPIN32F0B содержит три полумостовых драйвера затворов, способных отдавать токи до 600 мА на канал во внешние MOSFET, управляющие мотором. Кроме того, понижающий DC/DC преобразователь 3.3 В и 12-вольтовый LDO регулятор обеспечивают питание микроконтроллера, драйверов затворов и внешних компонентов, дополнительно сокращая число необходимых элементов и повышая общую эффективность системы.

Дополнительные встроенные функции включают в себя бутстрепные диоды для надежного запуска и защитные механизмы, обеспечивающие надежную работу даже в сложных промышленных условиях. В их число входят программируемые в реальном времени параметры защиты от токовой перегрузки, предупреждение возникновения сквозных токов, блокировка всех источников питания при пониженном напряжении и защита от перегрева.

ST предоставляет возможность выбора готовых к использованию шестиступенчатых алгоритмов управления сенсорными и бессенсорными бесщеточными двигателями постоянного тока, входящих в полный набор аппаратных средств, программ и прошивок, упрощающих и оптимизирующих разработку новых продуктов на основе приборов семейства STSPIN32. Кроме того, доступ к встроенному в STM32 загрузчику позволяет выполнять обновления прошивки по беспроводной сети, что повышает гибкость и снижает эксплуатационные затраты.

STSPIN32F0B имеет расширенный диапазон напряжений питания от 45 В до 6.7 В, что позволяет использовать его в самых разных приложениях, включая портативные устройства, работающие от двух литий-полимерных (LiPo) элементов. Чтобы снизить потребление мощности при остановленном моторе, и таким образом увеличить срок службы батарей, предусмотрен режим ожидания, когда запрещена работа всех схем, кроме DC/DC преобразователя, питающего микроконтроллер.

STSPIN32F0B уже выпускаются серийно в компактном корпусе QFN размером 7 мм × 7 мм и в партиях из 1000 приборов продаются по цене t3901.gif1.605 за штуку.

Комментариев: 0
Автор: Werewolf
Jun 10 2019, 01:53 PM
Исследования ученых показывают, что эффективность

Исследования ученых показывают, что эффективность солнечной энергетики может быть повышена в несколько раз

Ученые Уральского федерального университета проводят фундаментальные научные исследования, которые в перспективе позволят совершить мощный скачок в сфере солнечной энергетики. Это станет возможным благодаря созданию новых материалов с заданными свойствами для устройств преобразования излучения ультрафиолетового и инфракрасного диапазонов.

Исследования проводит научная группа в лаборатории физико-технологического института УрФУ «Физика функциональных материалов углеродной микро- и оптоэлектроники» под руководством Анатолия Зацепина. По его словам, проводимые работы позволят на практике очень сильно изменить возможности солнечной энергетики. В этом поможет использование материалов на основе редкоземельных элементов. Направленная модификация их оптических свойств значительно улучшает КПД преобразования солнечной энергии благодаря ряду принципиально новых эффектов, обнаруженных учеными.

«Мы установили, что собственные дефекты кристаллической решетки наночастиц Gd2O3 (нерегулярные катионы с нарушенной кислородной координацией) способны эффективно поглощать УФ-излучение и передавать энергию возбуждения ионам РЗЭ, люминесцирующим в видимой области спектра, — поясняет Анатолий Зацепин. — На основе изучения закономерностей и установления механизма энергетического транспорта мы реализовали новый канал преобразования солнечного излучения, характеризующийся повышенной квантовой эффективностью. Среди последних результатов — обнаружен эффект так называемого „Гигантского фононного размягчения“, проявляющийся при введении малых добавок редкоземельных ионов в структуру фотонных наночастиц».

Именно благодаря этому открывается дополнительная возможность снижения безызлучательных потерь и увеличения общей эффективности конверсии УФ-излучения.

На основе полученных данных разработан прототип модифицированной солнечной ячейки, содержащей конверсионный слой из наночастиц редкоземельных оксидов. Такая конструкция солнечной ячейки позволит использовать дополнительную часть солнечного спектра в УФ-области, что, по предварительным данным, обеспечит увеличение эффективности преобразования более чем на 20%.

«На сегодняшний день эффективность промышленных кремниевых солнечных батарей не превышает 15%, что существенно ограничивает их повсеместное использование, — отмечает Анатолий Зацепин. — Наши исследования показывают, что этот показатель можно довести до 25–30 %. Отдельные эксперименты говорят о том, что этот показатель, в принципе, может достигать еще большей величины, но это требует дополнительной детальной проработки. Дальнейшее развитие исследований демонстрирует явные перспективы глобального прорыва в сфере альтернативной энергетики и создания нового поколения высокоэффективных солнечных батарей. Можно надеяться, что это приведет к тому, что солнечная энергетика с каждым годом будет все сильнее увеличивать свою долю рынка, вытесняя традиционные виды энергетики».

Результаты исследований научной группы получили высокую оценку в международном сообществе. На престижном конгрессе по современным материалам, прошедшем в Майами (США), Анатолий Зацепин был удостоен медали и специального сертификата. Работающая под его руководством младший научный сотрудник Юлия Кузнецова — единственная из России получила европейскую премию «Young Scientist Award — за выдающиеся результаты и их научную значимость» на съезде Европейского общества исследования материалов (EMRS–2018) в Страсбурге (Франция).

Научная группа проекта под руководством Анатолия Зацепина войдет состав научно-образовательного центра «Передовые промышленные технологии», создаваемого в Уральском регионе в рамках национального проекта «Наука».

Комментариев: 0
Автор: Werewolf
Jun 6 2019, 12:26 PM
Революционная технология MERUS на рынке аудиосисте

Революционная технология MERUS на рынке аудиосистем: Infineon выпускает микросхемы многоуровневых усилителей класса D

MA12040, MA12040P, MA12070, MA12070P
Infineon Technologies запускает свой бренд MERUS, объединяя «под одной крышей» существующий портфель многокристальных модулей и дискретных аудио продуктов. Бренд укрепит уверенность потребителей в том, что они имеют дело с лучшими в мире микросхемами для усиления звука, которые

создают звук в динамиках, а не тепло в окружающей среде;
должны быть слышны, но не видны;
миниатюрные и легкие, а не большие и тяжелые;
должны быть прочными и гибкими, а не деликатными и капризными.

Следуя этим принципам, Infineon представляет семейство исключительно высокоэффективных монолитных решений для усилителей класса D, которые выводят качество звука на новый уровень.

Основой этих решений является новая технология многоуровневой коммутации для аудиоусилителей класса D. Установка нового эталона на рынке аудио положительно повлияет на оценку таких параметров усилителя, как энергопотребление, размеры решения, качество звука, электромагнитные помехи и стоимость материалов. В результате появляется возможность реализации до пяти уровней модуляции выходного сигнала. По сравнению с традиционными аналогами, в многоуровневых усилителях используются дополнительные встроенные MOSFET и конденсаторы, позволяющие получать на выходах сигналы с более высокой степенью детализации, то есть с более высокими частотами переключения и масштабируемыми уровнями. Это приводит к многократному снижению размеров и практически полному отсутствию коммутационных потерь в режиме ожидания.

Опираясь на вышесказанное, Infineon анонсирует четыре интегральных многоуровневых аудиоусилителя MA12040/ MA12040P и MA12070/ MA12070P, каждый из которых выпускается в двух версиях. Энергопотребление микросхем находится в диапазоне 250 мВт. По этой причине они хорошо подходят для портативных устройств с батарейным питанием и приложений со сложными тепловыми условиями, отвечая главным требованиям, предъявляемым к компонентам для современных аудиоприложений.

Традиционные усилители класса D эффективны только при самых высоких уровнях громкости музыки, когда нелинейные искажения увеличиваются до максимальных значений. В реальных ситуациях прослушивания аудио они потребляют значительно больше входной мощности (в среднем примерно 1 Вт), чем микросхемы многоуровневых аудиоусилителей MERUS первого поколения (порядка 0.25 Вт).

Представленные устройства поддерживают до четырех каналов, которые могут быть сконфигурированы для работы в режиме параллельной мостовой нагрузки, мостовой нагрузки или в несимметричном режиме. Соответственно, одна микросхема может отдавать пиковую мощность до 160 Вт (максимум 16 А) в одном канале c параллельной мостовой нагрузкой, или, например, ее можно сконфигурировать как систему с двумя высокочастотными динамиками по 20 Вт, включенными несимметрично, и одним низкочастотным динамиком 40 Вт в мостовом включении. Кроме того, устройства содержат усовершенствованную цифровую схему управления питанием и отличаются низкими уровнями гармонических искажений (0.003%) и электромагнитных излучений.

Многоуровневая технология позволяет создавать конструкции без теплоотводов и выходных фильтров. Благодаря меньшему количеству компонентов и минимальным требованиям к охлаждению, это снижает стоимость материалов и общие системные затраты. В микросхемах MA12040/P и MA12070/P реализован ряд функций безопасности, включая блокировку при пониженном напряжении, защиту от перегрузки по току, короткого замыкания и протекания постоянного тока, а также предупреждение о перегреве. Микросхемы многоуровневых усилителей класса D MERUS выпускаются в 64-контактных корпусах QFN с теплоотводящим основанием, вскрытым для снижения теплового сопротивления.

Доступность
Семейство полностью интегральных аудио микросхем класса D семейства MERUS состоит из приборов с аналоговыми аудио входами MA12040 и MA12070, а также из версий с цифровыми аудио входами I2S – MA12040P и MA12070. Все четыре устройства уже доступны для заказа.

Комментариев: 0
Автор: Werewolf
Jun 6 2019, 12:23 PM
Ученые Сколтеха и их зарубежные коллеги разработал

Ученые Сколтеха и их зарубежные коллеги разработали первый в мире сверхбыстрый полностью оптический транзистор, работающий при комнатной температуре

Группа ученых Сколтеха в сотрудничестве с коллегами из Исследовательского центра IBM в Цюрихе (Швейцария) и Университета Вупперталя (Германия) разработала полностью оптический транзистор нового типа на основе поляритонов в органических структурах. Этому научному достижению посвящена статья, опубликованная в ведущем научном журнале Nature Photonics [1], разместившим анонс этого исследования на своей обложке. В статье представлены результаты более чем двухлетнего тесного сотрудничества между Лабораторией гибридной фотоники Сколтеха под руководством профессора Павлоса Лагудакиса и Исследовательским центром IBM в Цюрихе. Ученым удалось создать первый в мире полностью оптический поляритонный транзистор, способный работать при комнатной температуре и имеющий беспрецедентно высокий коэффициент усиления. Специалисты считают, что данная разработка является большим шагом на пути к созданию сверхбыстрых оптических логических схем и приближает появление реальных оптических компьютеров [2].

Мы редко задумываемся над тем как устроены окружающие нас вычислительных системы, такие как ноутбуки и смартфоны, сегодня все они основаны на слаженной работе миллиардов электрических транзисторов, которые, пожалуй, являются одним из самых важных изобретений 20-го века. В основе работы транзистора лежит принцип управляемого протекания электрического тока (потока электронов). При протекании тока по электрическим цепям микросхем неизбежно происходит выделение энергии в виде тепла (это легко почувствовать, если просто держать телефон в руке). Количество тепловой энергии, выделяемой одним смартфоном, ничтожно мало, но ведь в мире существуют миллиарды таких устройств и тысячи центров обработки данных, в совокупности вырабатывающих колоссальное количество энергии впустую… Подсчитано, что мировая индустрия информационных и коммуникационных технологий, которая уже сейчас потребляет вдвое больше электроэнергии, чем вся Россия, к 2025 году будет потреблять до 1/5 мировых запасов электричества. Если вместо электронов использовать фотоны (элементарные частицы света), то эту серьезную проблему можно было бы решить при помощи оптического компьютера, позволяющего обрабатывать информацию со скоростью света, потребляя при этом гораздо меньше энергии. Ученые, разработавшие полностью оптический транзистор сделали большой шаг на пути к заветной мечте ‒ созданию оптического компьютера.

На первый взгляд может показаться, что фотоны являются идеальной заменой электронов, однако, до сих пор крайне низкая степень взаимодействия между фотонами существенно осложняла построение логических операций. Действительно, какой толк в получении идеальных сигналов на микросхеме, если их нельзя обработать? Для решения этой проблемы ученые Сколтеха и их коллеги из Исследовательского центра IBM в Цюрихе разработали новую структуру на базе органических полупроводников, в которой можно «смешивать» свет и вещество. Свет, попадающий в эту структуру, остается внутри нее и взаимодействует с веществом. В процессе этого взаимодействия образуются так называемые поляритоны, т.е. некий гибрид света (фотоны) и вещества (электроны). Придавая фотонам массу, поляритоны приобретают способность взаимодействовать между собой, что позволяет создавать оптические транзисторы и строить оптическую логику. Представленный исследователями новый полностью оптический поляритонный транзистор обеспечивает сверхвысокую скорость работы и рекордную эффективность. Показано, что тактовая частота нового транзистора может достигать 2 ТГц, что примерно в 1000 раз выше по сравнению с лучшими традиционным процессором. Если ранее разработки в данном направлении велись в основном в области сверхнизких температур, то с появлением органических полупроводников, способных работать при комнатной температуре, можно уже всерьез говорить о реализации реальных устройств на принципах поляритоники.

Создание оптического транзистора, несомненно, является крупным достижением, тем не менее, корректное выполнение логических операций требует подключения сразу нескольких транзисторов, что является значительной трудностью для многих ранее предложенных концептов. В частности, каскадное подключение нескольких транзистор в единую «фотонную цепь» оказалось весьма сложной, а в некоторых случаях и вовсе невыполнимой задачей.. Ученые из Сколтеха и исследовательского центра IBM осуществили одновременноеб каскадное подключение 3-х транзисторов для создания полнофункциональных логических вентилей «И» и «ИЛИ и тем самым наглядно продемонстрировав масштабируемость своей технологии. Логический вентиль, являющийся базовым элементом любой цифровой схемы, принимает на каждый из своих двух входов сигнал с уровнем 0 или 1, а на выходе возвращает сигнал 0 или 1 в соответствии с предварительно заданными правилами. Так поляритонный логический вентиль «И» на выходе возвращает 1, только если на обоих входах он принимает уровень сигнала 1, в противном случае вентиль возвращает уровень 0. Тогда как вентиль «ИЛИ» на выходе возвращает 1, если хотя бы на одном из двух входов он принимает сигнал с уровнем 1. При каскадном подключении выход одного транзистора подключают к входам нескольких транзисторов, что приводит к существенным потерям мощности сигнала. Для снижения потерь необходимо значительно усилить входной сигнал таким образом, чтобы на выходе получить сигнал гораздо большей мощности. Это условие является принципиальным требованием для осуществления сложной обработки цифровых сигналов. Исследователи продемонстрировали возможность усиления входного оптического сигнала в 6500 раз и получили рекордно высокие коэффициенты усиления в микромасштабе ‒ до 10 дБ/мкм. В ближайшие годы эта группа ученых планирует расширить рамки исследования и создать полные логические схемы на базе поляритонов, а также разработать более сложный «универсальный логический вентиль», на основе которого можно будет строить все логические операции.

За менее чем три года своего существования группа молодых исследователей под руководством профессора Павлоса Лагудакиса смогла добиться значительных успехов в разработке и демонстрации возможностей сложных фотонных технологий. Аспирант Сколтеха и соавтор исследования Антон Бараников отмечает: «Получить такие результаты удалось во многом благодаря сложнейшей оптической системе, над созданием которой я и остальные члены нашей группы трудились днем и ночью». Научный сотрудник Сколтеха и первый автор статьи Антон Заседателев добавляет: «Лаборатория гибридной фотоники Сколтеха ‒ это уникальное сочетание почти неограниченных экспериментальных возможностей – высококлассного, передового оборудования и команды молодых, талантливых, мотивированных исследователей. В этом состоит успех этой работы! Думаю, однажды фотонные процессоры работающие со скоростью света станут для нас такой же реальность, какой сегодня для нас является оптическая связь».

Прорывные результаты, опубликованные в журнале Nature Photonics, служат наглядным примером плодотворного сотрудничества Сколтеха с международными промышленными партнерами. Ноу-хау Лаборатории гибридной фотоники, талант ее сотрудников и опыт специалистов Исследовательского центра IBM в Цюрихе ‒ главные слагаемые успеха этого проекта, который позволил не только продемонстрировать работоспособность полностью оптического транзистора нового типа, но и интегрировать его в базовые элементы логической схемы. Эта технология, находящаяся в процессе патентования, может лечь в основу будущих высокопроизводительных и мощных вычислительных платформ.

Литература:
[1] A. V. Zasedatelev, A. V. Baranikov, D.Urbonas, F.Scafirimuto, U.Scherf, T.Stöferle, R. F. Mahrt&P. G. Lagoudakis, “A room-temperature organic polariton transistor”, Nature Photonics 13, 378–383 (2019). Html link.

[2] Z. Sun &D. W. Snoke, “Optical switching with organics”, Nature Photonics 13, 370–371 (2019). Html link.

Комментариев: 0
Автор: Werewolf
Jun 5 2019, 06:03 PM
Компания AMD закрыла Китаю доступ к современным те

Компания AMD закрыла Китаю доступ к современным технологиям изготовления процессоров

Глава компании AMD Лиза Су заявила о прекращении лицензирования Китаю процессорных х86-архитектур. Три года назад, в 2016 году, КНР и AMD создали общее предприятие по разработке однокристальных систем, которое получило название Tianjin Haiguang Advanced Technology Investment Co. Ltd. (THATIC). Организация лицензировала использование архитектуры Zen в производстве собственных процессоров.

AMD, в свою очередь, получала прибыль — лицензионные выплаты. По условиям договора размер выплат должен был составить $293 млн по мере достижения совместным предприятием определенного уровня развития и доходов. Кроме того, компания получала отчисления с каждого процессора, которое было продано совместной компанией. На данный момент AMD получила около $60 млн.

На выставке Computex 2019 глава AMD заявила о прекращении сотрудничества с Китаем. Свой комментарий Су оставила после того, как на этой же выставке были замечены китайские Zen-чипы, которые получили название Hygon. Правда, она не стала уточнять, связан ли разрыв в сотрудничестве с торговой войной Китая и США и указом Дональда Трампа о запрете совместной работы компаний из США с КНР.

Ранее Су сообщала, что ее компания будет выполнять требования США, следуя законодательным нормам этой страны.

Таким образом, у Китая больше не будет доступа к актуальным разработкам компании, включая новейшую архитектуру Zen 2, которая является основой процессоров Ryzen третьего поколения, а также серверных чипов EPYC Rome.

Соответственно, китайцы в ближайшее время вряд ли смогут освоить эту технологию самостоятельно. Что касается процессоров, представленных китайцами, то полностью новыми их назвать нельзя. Скорее, это клоны чипов AMD, выполненных по 14 нм техпроцессу. Hygon предназначены для установки в Socket SP3, как и процессоры от AMD. Единственное отличие — внедрение в процессоры китайских стандартов шифрования данных. На внешний рынок эти процессоры не пойдут, они предназначены исключительно для Китая.

Китайские процессоры для настольных ПК — практически полная копия Ryzen, их отличие от чипов AMD в том, что процессоры монтируют сразу на материнской плате путем пайки, без использования разъёмов. Еще одно отличие в том, что для этих процессоров не предусмотрен дискретный чипсет, то есть набор системной логики. Разработчики утверждают, что все необходимые компоненты вошли в состав процессоров.

Китайские разработчики продемонстрировали возможности своих процессоров на выставке. Так, процессоры Hygon Dhyana установлены в китайском суперкомпьютере Sugon Advanced Computing System (PreE), который был разработан в прошлом году. Эта система попала в топ-500 наиболее мощных суперкомпьютеров мира.

Закрытие доступа Китаю к американским технологиям, в частности, архитектуре новейших процессоров в может означать, что темпы развития электронной промышленности страны несколько снизятся. Производство китайских процессоров с архитектурой AMD Zen могло быть возложено на плечи компании GlobalFoundries — у нее есть промышленные предприятия в США и Германии. Но после выхода указа Трампа о прекращении технологического сотрудничества с КНР неизвестно, как сложится судьба этого процессора и систем на его основе.

Комментариев: 23


топ10 конструкторов сайтов

    РадиоКОТ - популярно об электронике. Авторские схемы, новые разработки. Обучение по электронике, микроконтроллерам, ПЛИС. Форум   banner DIPTRACE - САМЫЙ ЛУЧШИЙ ТАКСИРОВЩИК ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ
Portal-X